PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
PMBFJ111
PMBFJ111 · Diodos y transistores
Información del producto
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Número de parte:
- PMBFJ111
- Tipo de FET:
- Canal N
- Potencia máxima:
- 300 MW
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Fabricante | NXP USA Inc. |
| Referencia base | PMBFJ1 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Potencia máxima | 300 MW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | SOT-23 (–-236AB) |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 6
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 10 V @ 1 µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 30 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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- 400kHz