PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
PMV48XPAR
PMV48XPAR · Diodos y transistores
Información del producto
- Número de parte:
- PMV48XPAR
- Número de parte:
- PMV48XPAR
- Tensión drenador-fuente (Vdss):
- 20V
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Número de parte | PMV48XPAR |
| Tensión drenador-fuente (Vdss) | 20V |
| Corriente continua de drenador (Id) | 3.5A |
| Potencia disipada (Pd) | 930mW |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 1nF |
| Capacitancia de transferencia inversa (Crss) | 90pF |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃ – +150℃ |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 3
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 55mΩ@4.5V |
| Gate Charge (Qg) | 11nC@4.5V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Ver original en inglés
A P-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 (TO-236AB) surface-mount device (SMD) plastic package.
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- PMV100EPAR
- Tensión drenador-fuente (Vdss)
- 60V
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- 24AA02/SN
- Frecuencia de reloj (fc)
- 400kHz
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- PESD2CANFD36VT-QR
- Tensión de limitación
- 45V