PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
PMV100EPAR
PMV100EPAR · Diodos y transistores
Información del producto
- Número de parte:
- PMV100EPAR
- Número de parte:
- PMV100EPAR
- Tensión drenador-fuente (Vdss):
- 60V
Solicitar cotización
El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.
Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Número de parte | PMV100EPAR |
| Tensión drenador-fuente (Vdss) | 60V |
| Corriente continua de drenador (Id) | 2.2A |
| Potencia disipada (Pd) | 8.3W |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 616pF |
| Capacitancia de transferencia inversa (Crss) | 26pF |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃ – +175℃ |
| Tipo | Canal P |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 3
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17nC@10V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Ver original en inglés
A N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package.
Solicitar cotización
Componentes seleccionados
Todos los productos
PMV48XPAR · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMV48XPAR
- Tensión drenador-fuente (Vdss)
- 20V
24AA02/SN · Diodos y transistores
- Número de parte
- 24AA02/SN
- Frecuencia de reloj (fc)
- 400kHz
PESD2CANFD36VT-QR · Diodos y transistores
- Número de parte
- PESD2CANFD36VT-QR
- Tensión de limitación
- 45V