2SK514-T-A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
Diodos y transistores
MCH3914-7-TL-H · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
SMBF1006LT1 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
2N3823 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MCH5908H-TL-E · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
- Potencia máxima
- 300 MW
MMBFJ111 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4391LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
SMMBFJ175LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBFJ201 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
2SK880-BL(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 100 MW
NSVJ6904DSB6T1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Potencia máxima
- 700 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK209-GR(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
MMBF5103 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
J112-D74Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK879-GR(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 100 MW
2SK208-R(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
2SK880-Y(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 100 MW
MMBFJ202 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW