BSR57 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
Diodos y transistores
MX2N5115 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MQ2N4861UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2SK1069-5-TL-E · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 150 MW
2N3823UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MV2N4861UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MQ2N4093 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2SK932-24-TB-E · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
MX2N4091 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4859 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2SK209-Y(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
2N4861 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MV2N4860 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2SK879-Y(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 100 MW
MQ2N4091 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
J111-D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N4856 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4860 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW