2N4859A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
Diodos y transistores
MV2N4859 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
NTE468 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
MX2N4091UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4858 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4858U/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MX2N5116UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MQ2N4859 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MV2N5115UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
2N4857UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MQ2N5115 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MX2N5116UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MX2N4093UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
NTE456 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
MX2N4092UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4859UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
NTE460 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 300 MW
2N2608UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 300 MW