2SK33720UL · Diodos y transistores
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -20°C ~ 80°C (TA)
Diodos y transistores
MX2N4093 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MMBFJ113 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4861UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
PN4391 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4392 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 175°C (TJ)
MX2N5116 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MV2N5115UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MMBFJ175LT1 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta cortada (CT)
2N3823UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MMBFJ177LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N4091UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MMBF4393LT1 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta cortada (CT)
2N5116UA · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MV2N4091UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N4393 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Potencia máxima
- 300 MW
- Tipo de montaje
- Montaje pasante
2N4857 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MX2N4091UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW