2SK06630RL · Diodos y transistores
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
Diodos y transistores
PN4303 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
2SK209-BL(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 125°C (TJ)
MX2N5115UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
2SJ01630RL · Diodos y transistores
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
2N4860UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
FJX597JHTF · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
MMBF4392LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
2N5458G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 135°C (TJ)
KSK30YBU · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 100 MW
MMBFJ270 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 225 MW
MX2N5115UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
2SK33720TL · Diodos y transistores
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -20°C ~ 80°C (TA)
TF412ST5G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
KSK596ABU · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
2N4857UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MMBFU310LT1 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta cortada (CT)
MQ2N4093UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW