J111-D74Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodos y transistores
MQ2N5114 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
MV2N4861 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MMBFJ176 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4858 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
MV2N4857 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
2N2609 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N5116 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
CMPF4391 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
MQ2N4861 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
NTE452 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 175°C (TJ)
2N4391UBC · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Tipo de montaje
- Montaje superficial
NSVJ2394SA3T1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
NTE459 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 175°C (TJ)
2SK508-T1B-A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
2N4221A · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
NTE466 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
J112-D27Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)