NSVJ5908DSG5T1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia máxima
- 300 MW
Diodos y transistores
2SK3320-BL(TE85L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 200 MW
CPH3910-TL-E · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
MMBFJ175LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SMMBF4393LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
MMBFU310LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J113-D74Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4393LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
BSR58 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
CMPF4393 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
MMBFJ112 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BSV79 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
2N2608 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 300 MW
2N6660JAN02 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Encapsulado / carcasa
- A granel
2N5116UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
SST5486-T1-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
SST5484-T1-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
SST4416-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW