J108_D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodos y transistores
2SK3666-2-TB-E · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta y carrete (TR)
FJN598JATA · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
PN4302 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
2N5953 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 150°C (TJ)
BF247A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
2N5115 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
J175 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 150°C (TJ)
2N5459_D74Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
J112 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 150°C (TJ)
2N5116 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
2N5457_L99Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 135°C (TJ)
SST5486-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
2N5462_D27Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
2N5114UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
SST5484-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
2N3820_D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
SST5485-T1-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW