5285-MMBFJ201 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
Diodos y transistores
SST4119-T1-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
SST5462-T1-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
2N5638 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
BSV80 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
SST4118-T1-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
SST174-T1-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4341 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -65°C ~ 200°C (TJ)
2N5460_D27Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
MMBF5459 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
SST174-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4392LT1 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta cortada (CT)
MV2N5116 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW
SMMBF4391LT1G · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
2N5458 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 135°C (TJ)
MMBF4118 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
2N4093 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
DSK5J01P0L · Diodos y transistores
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)