PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.
Solicitar cotizaciónMismo modelo · parámetros coherentes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal P |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Potencia máxima | 350 MW |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado del fabricante | –-92-3 |
| Encapsulado / carcasa | A granel |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 3 V @ 10 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5.5pF @ 10V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 125 Ohms |
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