PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
NSVJ6904DSB6T1G
NSVJ6904DSB6T1G · Diodos y transistores
Información del producto
- Fabricante:
- Onsemi
- Número de parte:
- NSVJ6904DSB6T1G
- Potencia máxima:
- 700 MW
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Serie | Automoción, AEC-Q101 |
| Fabricante | Onsemi |
| Referencia base | NSVJ6904 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Potencia máxima | 700 MW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | 6-CPH |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 8
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20 MA @ 5 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 600 MV @ 100 µA |
| Current Drain (Id) - Max | 50 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 5V |
| Resistance - RDS(On) | 25 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 25 V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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- 400kHz