2N4091 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
2N4091UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
MV2N4093 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
2N4092 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
2N4092UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
MQ2N4392 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- รูปแบบการติดตั้ง
- ติดตั้งแบบทะลุรู
2N5114 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
MV2N5115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
MQ2N4393 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- รูปแบบการติดตั้ง
- ติดตั้งแบบทะลุรู
NTE489 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
MQ2N5116UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
CMPF4416A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
JANTX2N4093UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
MQ2N5116UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
NTE467 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 310 MW
2SK2145-GR(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- 125°C (TJ)
2N2608 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW