2N4858A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
- รูปแบบการติดตั้ง
- ติดตั้งแบบทะลุรู
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
MV2N4861UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
BFR31 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
MQ2N2608 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N2609 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N5114UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
MQ2N5114UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
PMBFJ309 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 250 MW
2N5116UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
MX2N4858 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 200°C (TJ)
BFR30 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
MX2N4859 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
2N5115UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
2N4093UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
MX2N4860 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
2N4857A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
- รูปแบบการติดตั้ง
- ติดตั้งแบบทะลุรู