ไดโอดและทรานซิสเตอร์
PMBFJ310 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 250 MW
PMBFJ109 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 250 MW
PMBFJ112 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
BFR31 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
PMBF4392 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
PMBFJ620 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กำลังสูงสุด
- 190 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
PMBFJ111 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
BFT46 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
PMBFJ308 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 250 MW
2N4858 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
- รูปแบบการติดตั้ง
- ติดตั้งแบบทะลุรู
PMBFJ110 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 250 MW