PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
BFR31
BFR31 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- NXP USA Inc.
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- BFR31
- ประเภท FET:
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน:
- 150°C (TJ)
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ทรานซิสเตอร์ เจเฟต (JFET) |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BFR31 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ประเภท FET | เอ็นแชนเนล |
| อุณหภูมิการทำงาน | 150°C (TJ) |
| กำลังสูงสุด | 250 MW |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | SOT-23 (–-236AB) |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | เทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT) |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 5
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1 MA @ 10 V |
|---|---|
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 2.5 V @ 0.5 NA |
| Current Drain (Id) - Max | 10 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 25 V |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
