สินค้า

หน้าหลัก > สินค้า > PMV48XPAR

PMV48XPAR

PMV48XPAR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ข้อมูลสินค้า

หมายเลขชิ้นส่วน:: PMV48XPAR
หมายเลขชิ้นส่วน:: PMV48XPAR
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss):: 20V

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์	ค่า
หมายเลขชิ้นส่วน	PMV48XPAR
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss)	20V
กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id)	3.5A
กำลังสูญเสีย (Pd)	930mW
ความจุอินพุต (Ciss)	1nF
ความจุถ่ายโอนย้อนกลับ (Crss)	90pF
อุณหภูมิการทำงาน	-55℃ – +150℃

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 3

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Product Catalogue	Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
On-Resistance (RDS(on))	55mΩ@4.5V
Gate Charge (Qg)	11nC@4.5V

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ดูต้นฉบับภาษาอังกฤษ

A P-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 (TO-236AB) surface-mount device (SMD) plastic package.