สินค้า

หน้าหลัก > สินค้า > PMV100EPAR

PMV100EPAR

PMV100EPAR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ข้อมูลสินค้า

หมายเลขชิ้นส่วน:: PMV100EPAR
หมายเลขชิ้นส่วน:: PMV100EPAR
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss):: 60V

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์	ค่า
หมายเลขชิ้นส่วน	PMV100EPAR
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss)	60V
กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id)	2.2A
กำลังสูญเสีย (Pd)	8.3W
ความจุอินพุต (Ciss)	616pF
ความจุถ่ายโอนย้อนกลับ (Crss)	26pF
อุณหภูมิการทำงาน	-55℃ – +175℃
ประเภท	พีแชนเนล

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 3

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Product Catalogue	Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
On-Resistance (RDS(on))	130mΩ@10V
Gate Charge (Qg)	17nC@10V

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ดูต้นฉบับภาษาอังกฤษ

A N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package.