2N5115UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
CMPF4392 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
MX2N4857 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
2SK880GRTE85LF · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 100 MW
MMBFJ108 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK208-Y(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 125°C (TJ)
J175-D26Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4092UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
JFE150DCKT · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -40°C ~ 125°C (TJ)
JFE150DCKR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -40°C ~ 125°C (TA)
2N5115E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
2N4393 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 175°C (TJ)
2N4858A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 200°C (TJ)
2N5460 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 310 MW
J109 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J111 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
JANTX2N4092UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
2SK2145-Y(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- 125°C (TJ)