ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJ111-D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตOnsemiประเภท FETเอ็นแชนเนลอุณหภูมิการทำงาน-55°C ~ 150°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMQ2N5114 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETพีแชนเนลกำลังสูงสุด500 MW ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMV2N4861 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETเอ็นแชนเนลกำลังสูงสุด360 MW ขอใบเสนอราคา
MMBFJ176 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตOnsemiประเภท FETพีแชนเนลอุณหภูมิการทำงาน-55°C ~ 150°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMQ2N4858 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETเอ็นแชนเนลกำลังสูงสุด360 MW ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMV2N4857 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETเอ็นแชนเนลกำลังสูงสุด360 MW ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง2N2609 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETพีแชนเนลอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 200°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMQ2N5116 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETพีแชนเนลกำลังสูงสุด500 MW ขอใบเสนอราคา
CMPF4391 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpประเภท FETเอ็นแชนเนลกำลังสูงสุด350 MW ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMQ2N4861 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETเอ็นแชนเนลกำลังสูงสุด360 MW ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE452 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incประเภท FETเอ็นแชนเนลอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง2N4391UBC · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyประเภท FETเอ็นแชนเนลรูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว ขอใบเสนอราคา
NSVJ2394SA3T1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตOnsemiประเภท FETเอ็นแชนเนลอุณหภูมิการทำงาน-55°C ~ 150°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE459 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incประเภท FETเอ็นแชนเนลอุณหภูมิการทำงาน175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง2SK508-T1B-A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง2N4221A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incประเภท FETเอ็นแชนเนลกำลังสูงสุด300 MW ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE466 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incประเภท FETเอ็นแชนเนลกำลังสูงสุด360 MW ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJ112-D27Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตOnsemiประเภท FETเอ็นแชนเนลอุณหภูมิการทำงาน-55°C ~ 150°C (TJ) ขอใบเสนอราคา