PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคารุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ทรานซิสเตอร์ เจเฟต (JFET) |
| ผู้ผลิต | NTE Electronics, Inc |
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ประเภท FET | เอ็นแชนเนล |
| อุณหภูมิการทำงาน | 175°C (TJ) |
| กำลังสูงสุด | 300 MW |
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | –-72 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | ถุง |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 50 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 6 V @ 500 PA |
| Current Drain (Id) - Max | 10 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 15V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 50 V |
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้