2SK514-T-A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Renesas Electronics America Inc
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุรวม
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
MCH3914-7-TL-H · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2N3823 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 200°C (TJ)
MCH5908H-TL-E · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
MMBFJ111 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SMMBFJ175LT1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK880-BL(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 100 MW
NSVJ6904DSB6T1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กำลังสูงสุด
- 700 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK209-GR(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 125°C (TJ)
J112-D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK879-GR(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 100 MW
2SK208-R(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 125°C (TJ)
2SK880-Y(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 100 MW