NSVJ5908DSG5T1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
2SK3320-BL(TE85L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 200 MW
CPH3910-TL-E · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
MMBFJ175LT1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBFU310LT1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J113-D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BSR58 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
CMPF4393 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
MMBFJ112 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BSV79 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
2N2608 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
2N5116UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
SST5486-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
SST5484-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
SST4416-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW