AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.FJN598JCBU · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.CMPFJ175 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형P채널동작 온도-65°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.FJN598JCTA · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N4858UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J109-D26Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N4857UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J176-D74Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N4859UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N4392UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널실장 방식표면 실장 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J112-D26Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.JFE150DBVR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Texas InstrumentsFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
