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AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N5115UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4860UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.FJX597JHTF · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N5115UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK33720TL · 다이오드 및 트랜지스터제조사Panasonic Electronic ComponentsFET 유형N채널동작 온도-20°C ~ 80°C (TA) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4857UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N4093UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
