AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N4860 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.NTE2910 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NTE Electronics, IncFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 200°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MV2N5114UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.NTE133 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NTE Electronics, IncFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MV2N4093UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.NTE2937 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NTE Electronics, IncFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N4092UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.U1897 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.FJN598JABU · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK34260TL · 다이오드 및 트랜지스터제조사Panasonic Electronic ComponentsFET 유형N채널동작 온도-20°C ~ 80°C (TA) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PN4091 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
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