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AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N4093 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4861UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PN4391 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4392 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형N채널동작 온도-65°C ~ 175°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N5116 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MV2N5115UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
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AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MV2N4091UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
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AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4857 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
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