BAS70-05-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
전자 부품
1SS384TE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
BAT85S-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 100 MA
SDMG0340LC-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 125°C
BAS21J · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 NA @ 250 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 100 MA
US1MFL-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
BAS70-04-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
1SS309(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
1N5818-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A
BAS40-04-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
BAS21W-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
BAV116W-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA