RB531SM-30FHT2R · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 350 MV @ 10 MA
전자 부품
1SS402TE85LF · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 50mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
RB751SM-40T2R · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 370 MV @ 1 MA
DLLFSD01LP3-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
BAS40-05T-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
BAS40H · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 40 MA
SDMP0340LAT-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 125°C
1SS308(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
PMEG2005AEL · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.5 MA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 440 MV @ 500 MA
BAT5404E6327HTSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
CUS05S30 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 340 MV @ 100 MA
BAS70-04-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
BAS70-00-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 15 MA
1N5818-T · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 1 A
BAS70-06-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
BAV21W-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA