BAS416F · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
전자 부품
RB521SM-30T2R · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 200 MA
RB521S-30-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 200 MA
1SS383(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
1SS361LP3-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.23 V @ 100 MA
PMEG2005EGWJ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 390 MV @ 500 MA
1N4151WS-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 50 MA
RB751S-40DP-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 370 MV @ 1 MA
MMBD4148TW-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 150mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
1N4148WS-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
BAS40-05-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
1SS355 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA