전자 부품
1N5819-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
BAV170E6327HTSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
SK12-LTP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 1 A
BAS40-04-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
B05100W-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 500 MA
BAS40-05-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
S2M-LTP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 2 A
SDMG0340LS-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 125°C
B5817WS-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 450 MV @ 1 A
SS0540_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 510 MV @ 500 MA
1N4448W-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 720 MV @ 5 MA
1SS319(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
1SS422(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
1N4005G-T · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
BAT54WSQ-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA





