VS-MBRB1635TRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
전자 부품
VS-MBRB1635TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
VS-MBRB1645TRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
JAN1N4148-1/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
GIB1404HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
GIB1401HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
GIB1403HE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
VS-18TQ045STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
GIB1404HE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
GIB1403HE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
FESB8ATHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 8 A