FESB8CTHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 8 A
전자 부품
VS-18TQ045S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
VS-18TQ045STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
SFS1604GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
VS-18TQ035S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
S10JC · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 10 A
MURB10120C-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.4 V @ 10 A
FESB8BTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 8 A