전자 부품
VS-MBRB1645-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
GIB1401HE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 975 MV @ 8 A
SFS1605GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
SFS1606GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
FESB8DTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 8 A
VS-18TQ035STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2.5 MA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 18 A
VS-20CTH03STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 10 A
VS-10ETS12S-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 10 A
VS-MBRB1645TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 35 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 630 MV @ 16 A
