BYC58X-600 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.2 V @ 8 A
전자 부품
VBT3045BP-M3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 30 A
VS-30WQ06FNTRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 610 MV @ 3 A
VS-30WQ06FNTRLHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 610 MV @ 3 A
SK20H45H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 20 A
SK15H45H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 15 A
SFS1608GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 8 A
V35DM120HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.2 MA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 35 A
VS-30WQ04FNHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 3 A
VS-30WQ04FNTRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 3 A