전자 부품
RFUS20TM4S · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 430 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 20 A
RFN10TF6S · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.55 V @ 10 A
VS-30WQ10FNTRRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 810 MV @ 3 A
RFUH10TF6S · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.8 V @ 10 A
1N5406GP-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 3 A
VS-30WQ04FNTRRHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 3 A
NRVTS30100MFST3G · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 760 MV @ 30 A
1N5404GP-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 3 A
VBT3045BP-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 30 A
VS-10ETS12STRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 10 A