TSSD20L100SW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 870 MV @ 20 A
전자 부품
FESB8FTHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
VB30100S-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 910 MV @ 30 A
RFU10TF6S · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.8 V @ 10 A
VS-30ETH06-1-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.6 V @ 30 A
TSSD20L60SW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 660 MV @ 20 A
BYC20-600 · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.9 V @ 20 A
FMXK-1106S · 전자 부품
- 제조사
- Sanken Electric USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.75 V @ 10 A
JAN1N4150-1 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 200 MA
VB30100S-M3/8W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 910 MV @ 30 A