전자 부품
FESB8FTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
FESB8JTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 8 A
VS-E5TH0812THN3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.5 V @ 8 A
TSSD20L150SW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 20 A
FESB8GTHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
FESB8HTHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 500 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 8 A
FESB8GTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
TSSD20L200SW · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 20 A