BA157GP-E3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
제품
V10PWL45HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.5 MA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 10 A
SL13-E3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 445 MV @ 1 A
V8PAM10SHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 180 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 8 A
12TQ200S · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 15 A
SE50PAJ-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 940 MV @ 2.5 A
SL42-M3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 420 MV @ 4 A
G5S12016BM · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 27.9A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SE50PADHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.16 V @ 5 A