PMEG040V030EPEZ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 120 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 3 A
제품
CS3G-E3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 3 A
RB050L-40TE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 3 A
G3S06506B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 14A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
SF68GH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 6 A
BAT54WFILMY · 전자 부품
- 제조사
- STMicroelectronics
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 100 MA
G3S06560B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 95A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
RB421DFHT146 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 100 MA
ZLLS2000QTA · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 2 A
CRS30I30A(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 3 A
MBR1560_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 15 A
G5S12020BM · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 33A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C