G3S12010B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 39A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
제품
PMEG3020EP-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 360 MV @ 2 A
G4S06530BT · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 39A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
VS-HFA04TB60SL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.2 V @ 8 A
G3S12006B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 14A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
V8P12-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 8 A
BAS40HYT116 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 40 MA
G3S06516B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 25.5A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
AS1PKHM3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 1.5 A
G5S12040BM · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 62A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
G3S12004B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 8.5A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
AS1PGHM3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 1.5 A
G4S06516BT · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 25.9A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C