1N5819 · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 1 A
제품
G3S12010BM · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 19.8A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
BD850YS_L2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 8 A
RBR1VWM30ATR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 480 MV @ 1 A
BD850YS_S2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 750 MV @ 8 A
V10PN50-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.5 MA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 10 A
SS2P4HM3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 2 A
SBRT20U60SP5-13D · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 20 A
G3S06512B · 전자 부품
- 제조사
- Global Power Technology-GPT
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 27A (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
PMEG3020EH-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 2 A
VS-4EWH02FNTRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 4 A
UF4007-M3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A