MMBF4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodi e transistor
2SK3372GRL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -20°C ~ 80°C (TA)
TIS75_J35Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
PN5434_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN4393_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN4392_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN4391_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN4117A_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J109_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN5432 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J174 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 400 MW
J175_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MS2N5116 · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW
J175_D75Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBFJ201_G · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J176_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4416-T1-E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
IJW120R100T1FKSA1 · Diodi e transistor
- Produttore
- Infineon Technologies
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 190 W