J174_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodi e transistor
CMPF5485 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
J201_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
J202_D27Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
2SK932-22-TB-E · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
J202_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
PN4391 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
PN4117A · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
2N5457 · Diodi e transistor
- Produttore
- Central Semiconductor Corp
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -65°C ~ 150°C (TJ)
2N4416-E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
J112_D11Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4416 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
U1898 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4119A-2 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
PN4092 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4118A · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
J113_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF5458 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW