PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
IJW120R100T1FKSA1
IJW120R100T1FKSA1 · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Infineon Technologies
- Codice componente:
- IJW120R100T1FKSA1
- Tipo di FET:
- Canale N
- Potenza massima:
- 190 W
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti Transistor Transistor JFET |
| Serie | CoolSiC™ |
| Produttore | Infineon Technologies |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di FET | Canale N |
| Potenza massima | 190 W |
| Temperatura operativa | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio a foro passante |
| Contenitore del produttore | PG-TO247-3 |
| Contenitore / involucro | Tubo |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 6
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5 µA @ 1200 V |
| Current Drain (Id) - Max | 26 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 19.5V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 100 MOhms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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