LSK489B · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodi e transistor
LSK489 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 400 MW
LSK589 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST401 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 300 MW
J202 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J211 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
PN4118 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
SST175 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
LS846 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
· Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
LSK170D · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 400 MW
LSBF510 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4119 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
SST4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
LS26VNS · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
J110 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 400 MW
J109 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 400 MW