· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 15 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 320 MV @ 3 A
Composants électroniques
TLC075CPWP · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 1.9 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 50 PA
1N6675/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 200 MA
VS-20ETF10STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
STTH10R04D · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 10 A
VS-20ETF08S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
VS-E5TX3012THN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.3 V @ 30 A
VS-E4PU3006LHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 30 A
MCP6275-E/MS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant d’alimentation
- 170 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
1N4153UR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 20 MA
JAN1N4150UR-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
VS-E5TH3012THN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 30 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 3 A
VS-E4PH3006LHN3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 30 A
1N645-1E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 225 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
VS-20ETF02S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A
1N4153UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 50 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C