· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 8 A
Composants électroniques
VS-20ETF10STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
VS-20ETF12STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
1N646/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
1N647-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
WNSC08650T6J · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 8 A
VS-20ETF08STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
VS-20ETF10S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
SICU02120B-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 2 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 3 A
WNSC6D08650Q · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 8 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 760 MV @ 3 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 3 A
VS-8EWS16STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 8 A
DSEP15-06BS-TRL · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.54 V @ 15 A
VS-8EWS16STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 8 A
VS-20ETF06S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A